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綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用第三代DG-FET製程，DG-FET係列（liè）具有高速（sù）開（kāi）關速度，業界優（yōu）異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列（liè）更有效地切換噪音和振鈴。

RDS（on）導通電阻（zǔ）比其他同類（lèi）元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%

20V至250V規格，可（kě）在（zài）各（gè）式電源與電機驅動中實現更（gèng）高效率。

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碳化矽二極管的介紹 2023-04-23

采用第三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度（dù），業界優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝（chōng）效應，DG-FET係列（liè）可以抑製，比SuperTrench係列更有效地切換噪（zào）音和振鈴。

RDS（on）導通電（diàn）阻比其他同（tóng）類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其（qí）他裝置少50%

20V至250V規格，可在各式電（diàn）源與電機驅動中實現更（gèng）高效率。

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