120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆(fù)業界傳統的低壓MOS製程(chéng),大幅降低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽(cáo)創新技術,將內阻(zǔ)值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃(cuì)。
美(měi)瑞電子致力於推動品質專線邁入普(pǔ)惠時代,帶入千行百(bǎi)業。
120V低(dī)內阻MOS綠星DG120N01S顛覆業界傳統的低壓MOS製程,大幅(fú)降低RDS內阻切換損失。台灣綠(lǜ)星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術,將內阻值死磕(kē)到底,肉眼可見的出類拔(bá)萃。策驰影视電(diàn)子致(zhì)力於推動品質專線邁(mài)入普惠時代,帶入千行百業。
顛覆業界傳統的低壓MOS製程,大幅降(jiàng)低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術,將內阻值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃。
策驰影视電子致力於推動品質(zhì)專線邁入普惠時代,帶入千行百業。
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