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綠（lǜ）星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星（xīng）MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用第（dì）三代（dài）DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界（jiè）優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列（liè）可以抑製（zhì），比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴（líng）。

RDS（on）導通電阻比（bǐ）其他同類元件至少降低（dī）50%，閘電荷（Qg）比其他（tā）裝（zhuāng）置（zhì）少50%

20V至250V規格（gé），可在各式電源與電機驅（qū）動中實現更高效率。

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碳化矽二極管的介紹 2023-04-23

采用第（dì）三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列（liè）可以（yǐ）抑製，比SuperTrench係列（liè）更有效地切換噪音和振鈴。

RDS（on）導（dǎo）通電（diàn）阻比其他同類（lèi）元件至（zhì）少降低（dī）50%，閘電荷（Qg）比其他（tā）裝置（zhì）少50%

20V至250V規格，可在各（gè）式電源與電機驅動中（zhōng）實現更高效率。

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