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泰科天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管(guǎn)和650V SiC混合單管新品(pǐn)

泰(tài)科天潤發布(bù)1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管(guǎn)和650V SiC混合單管新品

產品(pǐn)詳情

慕尼黑上海電子展(zhǎn) (Electronica China)圓滿收(shōu)官。泰科(kē)天潤在此次展會(huì)上正式發布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V係列產品和650V60A混合單(dān)管新品,吸(xī)引了國內外客戶及行業人士的廣泛關注。


第一款:泰科天潤1200V 80mΩ SiC MOSFET

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具有更低的導通電阻,更低的開(kāi)關損耗,更高的開關頻率,更高的(de)工作溫度,Vth典型值超過3V。應用場景:光伏、OBC、UPS及(jí)電機驅動等。


第二款:泰科天潤650V60A混合單管(Si IGBT+SiC diode)

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可大幅降低IGBT的開關損耗,提高效率,降低溫升。


第三款:2000V係列產品(pǐn)

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適用1500V光伏係統,高效(xiào)率,更可靠。


關於泰科天潤:

泰科天潤(rùn)半導體科技(北京)有限公司成立於2011年,是中國(guó)碳化(huà)矽(SiC)功率器件產業(yè)化的倡導者之一,致力於中國半導體功率器件製(zhì)造產業的發展,並(bìng)提(tí)供優質的半導體功率器(qì)件產品和專業服務。總部坐落於北京,擁(yōng)有湖南一條年產6萬片/6英(yīng)寸SiC半導體晶圓生產線,2023年底擴產至年產10萬片。公司2023年(nián)年初北京8寸線動工,預計2025年實現年產10萬片/8英寸SiC半導體晶圓。泰(tài)科天潤(rùn)產品已經批量應用於PC電(diàn)源(yuán)、光(guāng)伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等領域。 質量資質:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,產品質量完全可以比肩國際同行業的先進水平。



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