LSD65R650GMB

龍騰半導體（tǐ）LSD65R650GMB功率MOSFET產品介紹
產品概述

LSD65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出的一款高性（xìng）能N溝道功率MOSFET，采用先進（jìn）的超結（jié）(Super Junction)技術製（zhì）造。該（gāi）產品屬於龍騰半導體650V高壓（yā）MOSFET係列，專為高效（xiào）率電源轉換應用而（ér）設計。

技術參數
參數名稱 參（cān）數值（zhí） 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額（é）定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環境溫度下
柵源極閾值電壓（yā） 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導通電阻（zǔ）(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功（gōng）率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形（xíng）式 TO-220F 符合行（háng）業（yè）標準
技（jì）術類型 超（chāo）結VDMOS Super Junction技術（shù）

注：以上參數基於類似型號LSD65R650HT的技術規格整理（lǐ），建議聯係（xì）龍騰半導體（tǐ）獲取LSD65R650GMB的精確參數。

產（chǎn）品特點（diǎn）

高效率設計‌

采用超結(Super Junction)技（jì）術，顯著降低導（dǎo）通電阻
相比傳統平麵MOSFET，導通（tōng）損耗降低約22.3%
優化的柵極電荷特性，減少開（kāi）關（guān）損耗

高可靠性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試
符合RoHS環保規範，無鉛無鹵素
優化的熱設計，提高高（gāo）溫（wēn）工作穩定性（xìng）

應用友好性‌

標準TO-220F封裝，便於安裝和散熱設（shè）計
與行業主流MOSFET引腳兼容
簡化電路（lù）設計，降低係統成本
應用領域

LSD65R650GMB適用於多種高效率電源轉換場景（jǐng）：

應（yīng）用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適（shì）配器、PD快充
計算（suàn）機 服務器電源、PC電源
工業（yè）電子 開關電源、工業電源
新能源 光（guāng）伏逆變器輔助電源

特別適用於需要高效率、高功率密度（dù）的電源設計場景。

技術優勢

與（yǔ）傳統平麵MOSFET對比‌

克服了導通電阻隨擊穿電（diàn）壓急（jí）劇增（zēng）大的缺點
保持（chí）輸入阻抗高、開關速度快（kuài）的特點
顯著提（tí）升係統整體效率

與常規超結MOSFET對比‌

優化的（de）內部電場分布設計
增強的耐（nài）壓（yā）能力和（hé）可靠性
改進的開關特性，降低EMI幹擾

市場定位‌

填補國產高端功率半導體器件空白
在650V高壓應用中具有競（jìng）爭優勢
性價（jià）比優（yōu）於同類進口（kǒu）產品
使用建議

電（diàn）路設計注意事項‌

建議工作電壓不（bú）超（chāo）過520V，留足設計（jì）餘量
柵極驅動電阻（zǔ）推薦值10-22Ω，平衡開關速度與EMI
確保良好的散熱條件，建議使用散熱片（piàn）

典型應用電路‌

適用於反激式、正（zhèng）激式等開關電源拓撲
可與PWM控製器如L6565等配合使用
在LLC諧（xié）振轉換器中表現（xiàn）優（yōu）異

可靠性（xìng）保障‌

避免超（chāo）過最大額定參數使用
注意PCB布局，減少寄生參數影響
建議（yì）進行老化（huà）測試驗證（zhèng）長期可（kě）靠性
製造商（shāng）背景

龍（lóng）騰半導體有限公司是一家專注於新型功率半導體器件研發的高新技術企（qǐ）業（yè），通過ISO9001-2015質量體（tǐ）係認證。公司在功率半導體領域擁有83項專（zhuān）利，並參與製定了超結功率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線涵蓋超結MOSFET、IGBT、快恢複二極管等多個（gè）係列，廣泛應（yīng）用於消費電子、工業（yè）電源、新能（néng）源汽車等領域。龍（lóng）騰半導體建有國內一流的研發中（zhōng）心和應用測試實（shí）驗室，持續推動功率半（bàn）導體技術創新。