虹揚科技（jì）超低導通電（diàn）壓(VF)橋（qiáo）式整流器係列(封裝6KBJGBU/JA)采（cǎi）用自製（zhì）的外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構（gòu）製程技術，

其通（tōng）過增加截止（zhǐ）環和終（zhōng）端鈍化層（céng），多次（cì）的光照製（zhì）程, 來實（shí）現超（chāo）低導通電壓(VF), 較低（dī）的高溫漏電流，優良的可靠性. 適用於（yú）各種應用中的橋式（shì）整流器，進而提（tí）升整體（tǐ）電源（yuán）效能（néng）和更穩（wěn）定的可靠度。

因采用外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構（gòu）製程技術, 故反向恢複QRR/IRM小，恢複特性軟，EMI特性優, VF弱溫度係數，較（jiào）低的高溫（wēn）漏電流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好，即便如此嚴苛（kē）的（de）應用環境下, 也（yě）能（néng）確保客戶應用上的可靠性和穩定性。一般用（yòng）於要求高的高功率領域。包括AI電（diàn）源、 服務器電源、PC電源(80+白金/鈦金PC電源（yuán）)、通信電源、遊戲機電源等高（gāo）功率應用。

➤正向壓降TJ=150° VF:0.79V Max
➤額定電流覆蓋（gài）10A至35A
➤最大浪湧電流400A
➤提（tí）供GBU GBJ封（fēng）裝

專為高溫、高效（xiào）電源係統而優化

目標應用包含：
• AI與雲端服務（wù）器電源
• 電信與網通設備
• 高效能PC與遊戲主（zhǔ）機電（diàn）源
• 備援與工業級電源係統（tǒng）
• USB PD >100 W快充電源方案
• 55吋以上大型電（diàn）視與顯示器

平麵工藝(Planar)結構製程技術的（de）橋（qiáo）堆在（zài）相同應用（yòng）條件（jiàn）下, 溫（wēn）升優（yōu）於常規（guī）LOW VF(GPP)將近10度（dù）, 提升客戶應用上的可靠性和穩定性及壽命。

平麵工藝(Planar)結構製程技術, 在超低導通電壓(VF)下, 效（xiào）率（lǜ）均優（yōu）於常規VF(GPP). 助力客（kè）戶提效降（jiàng）耗,協助客（kè）戶在高功率領（lǐng）域的（de）應用。

憑借外延+平麵（miàn）工藝的創（chuàng）新製程，在導通電壓、反向耐壓、漏電性能等方麵表（biǎo）現卓越，以超低損耗、高可靠性（xìng）的優勢，為AI電源、服務器電源等高端（duān）功率領域（yù）的（de）能效（xiào）提升與穩定運行（háng）提供強力支撐，彰顯出其在功率（lǜ）器件領域的技術領先性與市場（chǎng）競爭力。