肖特基二極管（Schottky Diode），也稱（chēng）肖特基勢壘二極管，其內部結構相對獨特，主（zhǔ）要由以（yǐ）下部分（fèn）組成：

一、主要（yào）構成（chéng）部分

1. • 肖特基二極管（guǎn）的內部結構示意圖通常展示為一個五層器（qì）件，從下到上依（yī）次為：

   • N+陰極層：這是肖特基二極管的最底層，與陰極金屬相（xiàng）連，用於減（jiǎn）小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位於（yú）N+陰極層之（zhī）上，具有較小的通態電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的主要（yào）通道。

   • N-外延層：這是N型基片之上的一層，摻雜濃度較低，通（tōng）常使用砷等（děng）雜質進行摻雜。

   • 肖特基勢壘層：這（zhè）是由金屬與N-外延層緊密接觸後形成的特殊區域。當金（jīn）屬與（yǔ）N型半導體接觸時，由於兩者的功函數不同，會（huì）在接觸界麵處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個（gè）勢壘阻礙了電子從半導體向金屬（shǔ）的流動（dòng），同時也限製了反向電流的大小。

   • 陽極金屬：這（zhè）是肖特基二極管的頂層，通常由金、銀、鋁、鉬等貴金屬製成（chéng）。陽極金屬與（yǔ）N-外（wài）延層之間通過肖（xiāo）特基勢壘相連，形成二（èr）極管（guǎn）的整流結構。

二（èr）、肖特基勢壘

通過調整結（jié）構（gòu）參數，在N型基片和陽極金屬之（zhī）間形成肖特基勢壘。這是肖特基二極管（guǎn）工作的關鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加（jiā）上正向偏壓（陽（yáng）極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小，二極管處（chù）於導通狀態。

2. 反向偏（piān）壓：當在肖特（tè）基勢壘兩端（duān）加上反向偏壓（yā）時，肖特基勢壘層變寬，其內阻變大，二（èr）極管處於截止狀（zhuàng）態（tài）。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有兩種工藝結構：

1. 點接（jiē）觸結構：用一根尖端細金屬絲與半導體接觸製成，通過機械接觸或用放電工藝得到一個很（hěn）小的合金（jīn）結。

2. 平麵接觸結構：具有更大的接觸麵積，通常用於需要更高電流容量的應（yīng）用。

五、特點與應用

肖特基二極（jí）管具有正向導通壓降小（xiǎo）（約0.45V）、反向恢複時間短、開關（guān）損耗小（xiǎo）等特點，是一種低功耗、超高速半導體器件。然而，其反（fǎn）向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用（yòng）於低壓、大電（diàn）流、高頻整流等場合。