6月13日，上海證券交易所受理了蘇州鍇（kǎi）威特半導體股份有限公司（簡稱：鍇威特）的科創板上市申請。

據了解，鍇威特主要從事功率半導體的設計、研發和（hé）銷售，並提供相關技術服務。公司堅持“自主創（chuàng）芯，助力核心芯片國產化”的發展定位（wèi），主要產品包含功率器件及功率IC兩（liǎng）大類。

在功率器件（jiàn）方麵，公司產品以高壓平麵MOSFET為主，並在（zài）平麵MOSFET工藝（yì）平台（tái）基（jī）礎上設計研發了（le）集成快（kuài）恢複高壓功率MOSFET（FRMOS）係列產品；在功率IC方麵，公司專注於功率驅動IC和（hé）電源管（guǎn）理IC。此（cǐ）外，在（zài）第三代半導體方麵，公司（sī）的SiC功率器件（jiàn）已小批量（liàng）出貨。

通過自（zì）主創新和技術沉澱，公司已同時具備功率器件和功率IC的設計、研發（fā）能力。公司掌握了功率（lǜ）半導體芯片的前端設計技術和（hé）特色晶圓製造工藝，現（xiàn）已搭建多個功率半導體（tǐ）細分產品的技術平（píng）台。

憑借高性能的產品，蘇（sū）州鍇威特半導體在行業內形（xíng）成了較強（qiáng）的市場競爭力。結合（hé）Omdia研究數據，以發行人2020年（nián）MOSFET產品（pǐn）銷售額測算，蘇（sū）州鍇威（wēi）特半導體全球MOSFET市（shì）場的市場份額約為0.23%；另（lìng）根據江蘇省（shěng）半導體行業協會統計，2020年蘇州（zhōu）鍇威特半導體FRMOS產品的國內市場（chǎng）占有（yǒu）率約為6%，位列本土企業第四位；SiC功率器件方麵，公（gōng）司是國內為數不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企（qǐ）業之一，產品已覆蓋業內主流電（diàn）壓段。

三年間經營業績穩步增長

近年來，隨（suí）著（zhe）消費電子、工業控製、新能源汽（qì）車市場的高（gāo）速成長，推動鍇威（wēi）特的功率半（bàn）導體業務持續發展。

公司堅持在高（gāo）可靠領域芯片國產化替代的戰略方向，洞察市（shì）場（chǎng）需求導向，進行自主研發和創新，將（jiāng）科技成果與產業深度融合。憑借自（zì）主研發的高性能產品，鍇威特也與多家高可靠（kào）領域客戶建立（lì）了合作關係。

截至目前，鍇威特已擁有包括平麵MOSFET、功率IC等近700款產品。憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，公司迅速在細分領域打開（kāi）市場，產品廣泛應用於消費電子、工業控製及高可靠領域，客戶包括以晶豐明源、必易微、芯朋微、燦瑞科技（jì）為代（dài）表（biǎo）的芯片設（shè）計公司及多家高可靠領域客戶，並（bìng）且產（chǎn）品已被小（xiǎo）米、美的、雷士照明、佛山照明等（děng）終端客戶所采用。

具體來（lái）看，在功率器（qì）件方麵，公司已同時具備矽基及（jí）SiC基功率器件的設計、研（yán）發能力，積累了多項具（jù）有原創性和先進性的（de）核心技術，其中3項達到國際先進水平，1項達到國內領先水平。

其中，在（zài）平麵MOSFET方麵，公司核心技術具體包括“高可（kě）靠性元胞結構”“新型複合終（zhōng）端結構（gòu）及實現工藝技（jì）術”等。其中，公司利用“高壓MOSFET的少子壽命控製及工藝實現技術”研發並量產的FRMOS產品具有反向恢複時間短、漏電流小、高溫特性好、反向恢複特性較軟、低電磁幹擾的優勢特性；在第三代半導體器件方麵，公司利用掌握的（de）“短溝道碳化矽MOSFET器件係列產品溝道控製及其製造技術”實現了SiCMOSFET穩定的性能和優良的良率控製。上述核心技（jì）術有（yǒu）效提升了公司產品性能指標，增強了（le）產品市場競爭力。

蘇州鍇威特半（bàn）導體股份有限公司近三年財務數據

在功率IC方麵，公司基於0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工藝設（shè）計平台，完（wán）成了多款功率IC所（suǒ）需的（de）IP設計與驗證，並基於已驗證的IP成功開發了近40款功（gōng）率IC產品；公司自主研發了“一種全電壓範圍多（duō）基準電壓同步調整（zhěng）電路及高精準過壓保護（hù）電路”“一種輸入失調電壓自動修正電路”等核心技術，有效提升（shēng）了產品參數一致性，增強了產品可靠性。

憑借強有（yǒu）力（lì）的產品線，鍇（kǎi）威特近三年的主營業務收入也迎來持續的增長。從2019-2021年，公司主營業務收入分別為10,575.54萬元、13,383.49萬元（yuán）和20,318.15萬元（yuán），2020年和（hé）2021年同比分別增長26.55%和51.82%。其中，平麵MOSFET為公司實現大規模（mó）銷售（shòu）的（de）主要產品，該產品收入占主（zhǔ）營業務收入的比例分別為86.71%、88.39%和83.07%。

募資約5.3億元（yuán）投建三大功率（lǜ）半導體等項目

招股書顯示，鍇威特此（cǐ）次IPO擬募（mù）資約5.3億元，投建智能功率（lǜ）半導體研發升級項目、SiC功率器件研發升級項目、功率半導體研發工（gōng）程中心升級項目，以及用於補充營運資金。

圖源：蘇州鍇威特半導體股份有限公司招股書

其中，智能功率（lǜ）半導體研發升級項目主要涉及公司的主營產品功率器件（jiàn）、功率IC、IPM、光（guāng）繼電器（Photo MOS）等（děng）係列產品的技術升級（jí）、工藝製程優化及（jí）部分新品類的研發（fā）及（jí）規模化量（liàng）產。其中，功率（lǜ）器件（jiàn）主要包括高可靠性高壓平麵MOSFET（包括（kuò） FRMOS）、第三代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品；功率 IC 包（bāo）括高壓高速（sù）柵極驅動 IC、高（gāo）功率密度電源管理IC 產品。

該項目（mù）實施旨在（zài）繼續加強公司在功率半導體產品的技術積澱（diàn），保持在功率器件（jiàn）、功率 IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產品（pǐn）的領先優勢，挖掘高性能智能功（gōng）率半導體的發展潛力，打造全係列產品的技術創新平台，致力於成為（wéi）市場一流的高性能、智能化功率半（bàn）導體供應商。

而SiC功率（lǜ）器件（jiàn）研發升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工藝優化、器件升級及SiC功率模塊的規模化量（liàng）產。

在SiC功率器件方麵，一是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圓升（shēng）級到（dào）6寸晶圓的研製；二是在SiCMOSFET基礎上開發集成SBD器件，開發出650V和1200V的SiCSKMOS。

在SiC功（gōng）率模塊方麵（miàn），包括（kuò）SiCSKMOS功率模塊和集（jí）成功率驅動的SiCSKMOSIPM智能功率模塊（kuài）的研發。SiC功率器件（jiàn）及SiC功率模塊的研發、規模化（huà）量產及（jí）銷售，可以有效豐富公司產品品類，擴大產品的應用範圍，提高公司SiC產（chǎn）品的供貨能力，從而提高公司盈利水平。

功（gōng）率半導體研發工程中心升級項目將（jiāng）對功率器（qì）件和模塊封裝可靠性、SiC高（gāo）溫封裝、應用、基（jī）於 SiC MOSFET 製作光繼電器（Photo MOS）以及數字電源進（jìn）行持續深入研究。該項目（mù）基（jī）於公司現有技術進（jìn）行了前瞻性布局，有利於提升公司的技術創新能力，進（jìn）一步豐富（fù）技術儲備。項（xiàng）目的實施一方麵可以推動公司（sī）現有（yǒu）產品的優化（huà）升級，提升公司產品附加值；另一方麵可以（yǐ）推動研發成果（guǒ）的成功轉化，有助於豐富公司的產品種類，開拓新的產品應用領域，增強公（gōng）司的盈利能力。

此外，在器（qì）件可（kě）靠性考核與測（cè）試應用能力方麵，隨著可（kě）靠性實驗室及測試應用中心的（de）建設，公司通（tōng）過購置先進的測試設備，有利於完備公司可靠性考核能力，有助於提高產品良率，提升出（chū）廠產品的質量，更好（hǎo）的滿足和服務於工業級及高可（kě）靠領域客戶對產品（pǐn）品質的需（xū）求（qiú），同時，也使得公司具備完善的測試評價平台，並能夠有效製作產品應用方案，指導客戶更好的使用公司產品，從而有利於產（chǎn）品的市場推廣。

未來，公司將繼續專注於功率半導體的（de）設計、研發與銷售，堅持“自主創（chuàng）芯，助力核心（xīn）芯片國產化”的發展定位，聚（jù）焦（jiāo）消費電子、工業控製和高可靠領（lǐng）域，在新能源汽車、光伏能源、軌道交通、智能電網等領（lǐng）域展（zhǎn）開布局；在（zài）目（mù）前（qián）掌握的核心技術（shù）基礎上，展開產品係列化及下遊市場的進一步（bù）拓展、延伸。