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上海(hǎi)功成半(bàn)導體代理的超結MOS介(jiè)紹-策驰影视電子(zǐ)

上海功成半導體的超結MOS介紹

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超結MOS概述

超結MOSFET(superjunction MOSFET)是一種重要的(de)功率半導體器件,為克服傳(chuán)統平麵(miàn)MOSFET的局限性而出現(xiàn)。傳統平麵MOSFET在高電壓應(yīng)用中,高電(diàn)壓需要更(gèng)厚的漂移區來承受,但會導致更高的導通電阻,增加功(gōng)率損耗。而超結MOSFET利用創新結構設(shè)計,顯著降(jiàng)低了導通電阻(zǔ),同(tóng)時維持了高擊穿電壓。

上海功成半導體超結MOS特點

上(shàng)海功成半導體(Coolsemi)的高壓超結MOSFET通過先進的超結技術和優化結構設計,實現(xiàn)極低的(de)特征導通電阻(Rdson*A),有效提高電源的功率密度和效(xiào)率。

超結MOS結構設計

垂(chuí)直結構設計

與傳統的平麵MOSFET不同,超結MOSFET采用垂直結構,電流在器件中垂直流動。這種設計能有效利用芯片的厚度(dù)來優化電流的流動路徑,從而(ér)降低導通電(diàn)阻。

交替P型和N型區域(yù)

這些交(jiāo)替的區域在器件(jiàn)導通時形成了一個高效的(de)電流通道,而在關斷時則能夠分擔電場,使得器件能夠承受更高的電壓。

超結MOS優勢

更低的導通電阻(R)

超結MOSFET的結構設計(jì)顯著降低了導(dǎo)通電阻(zǔ)。這意味著在相同電壓等級下,超結MOSFET能夠提供更高的效率,減少功率(lǜ)損耗。上海功成半導體的超結MOSFET也具備此優勢,可有效提(tí)高電源效率。

更高的擊穿電壓(BV)

得益於其獨特的結構,超結MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下,能夠實現更高的擊穿電壓,在高壓(yā)應用中(zhōng)表現出色。

更好的熱性能

低(dī)導通電阻意味著更少的熱量產生,對於需要長(zhǎng)時間高效運行的應用是一個重要的優勢。

超結MOS應用領域

超結(jié)MOSFET在多個領域廣泛應用,上(shàng)海功成半導體的超結MOS產品已應用於(yú)多個細分市場,具體如下:

應用領域應用場景(jǐng)
開關電源超結MOSFET的低導通電(diàn)阻和高擊(jī)穿電壓使其非常適合用於開關電(diàn)源中,能(néng)夠提高轉換效率,減少能量損失2。
電動汽車(EV)被廣泛應用(yòng)於電機驅動和電池管理係(xì)統中,其高效能和優異的熱性(xìng)能能夠提升整車的性能和可靠性2。
光伏逆變器光伏逆變器需(xū)要處理高電(diàn)壓和大電流,超結MOSFET的性能優勢使其成為這些係統(tǒng)中的理(lǐ)想選擇,能夠提(tí)高能量轉(zhuǎn)換效率(lǜ),減少熱量損耗2。
工業自動化在工業自動化領(lǐng)域,超結(jié)MOSFET被用於各種電機驅動和電源管理應用中2。
其他上海(hǎi)功成半導(dǎo)體聚焦(jiāo)新能(néng)源、數據中心、汽車電子、智能家電以及高端消費電子領域,其(qí)超結(jié)MOS產品還應(yīng)用於直流(liú)充電樁、通信電源(yuán)、服務器電源、便攜式儲能、戶用儲能(néng)、車(chē)載PTC等細分市場1。

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