龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平台，采用先進的多次外延結構設計，在保（bǎo）證高耐壓的基礎上，有效減少器件（jiàn）內部的寄生電容，進一步優化開關（guān）過程中的能（néng）量損失。與傳統的PN結（jié）結（jié）構相比，這（zhè）種新型結構能夠有效（xiào）減小漏電（diàn）流，提高器件（jiàn）的熱穩定性和（hé）抗電場能力，確保在高壓條件下的可靠性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電（diàn）源等高壓中功率領域的需求。

龍騰950V超結MOS采用多次外延工藝，通過精準堆（duī）疊外（wài）延層並優化（huà）摻雜分布，實（shí）現（xiàn）電荷平衡與電場均勻性的大幅提（tí）升，賦予產品三（sān）大核（hé）心優勢：

1.極低導通（tōng）損耗: Rsp（比導通電阻）較國際競品降低22.3%，顯（xiǎn）著減少導通損耗，可在植物照（zhào）明電源中實現更高能效。

2.超快動態性能: FOM(Qgd)優化14.5%，開關損耗（Eon/Eoff）分別（bié）降（jiàng）低18.5%和43.1%，助力高頻電源設計簡化。

3.卓越可靠性: Trr（反（fǎn）向（xiàng）恢複時間）縮短（duǎn）13.6%，減少開關噪聲（shēng），提（tí）升係統穩定性；同時（shí），多次（cì）外延工藝增強了器件耐壓能力，支（zhī）持950V高壓場景下的長期穩定運行。

龍騰SJ MOS 800V-950V 推薦型號