結構創新：核心在於陳院士提出（chū）的CB 及異型島結構，這是一（yī）種耐壓層上的結構突破，不僅適用於垂直功率 MOSFET，還可應用於功率（lǜ） IC 的關鍵器件（如 LDMOS、SBD、SIT 等功率半導體器件），被稱為 “功率半導（dǎo）體器件發展史（shǐ）上的裏程碑式（shì）結構”。

特殊構造與性能：阻擋層采用梳狀結構，通過約七次離子注入 + 二次高溫擴散形（xíng）成，使得阻擋層電場（chǎng）分（fèn）布（bù）呈（chéng）矩形結構 —— 僅用傳統 FET 200V 的阻擋厚（hòu）度，即可承受約 500V 的耐壓，最終實現導通電阻極低、耐高壓、發熱量低的核心優勢，這也是其 “超結 MOSFET” 名稱的由來。

SJ-MOS 的Rdson（通態電阻） 遠低於 VDMOS，直接減少係統（tǒng）電源類產品的導通損耗，顯著提升係統效率；

優勢在大功率、大電流類電源產品中尤為明顯，是（shì）高效電源設（shè）計的關鍵支撐。

芯片麵積優化：相同電流、電壓規格下，SJ-MOS 的晶源麵積小於 VDMOS，廠家可封裝出（chū）體積更（gèng）小的產品，直接提升電源（yuán）係統的功率密度；

散熱（rè）負擔減輕：導通損耗降低意味著發熱量（liàng）減少（shǎo），實際應用中（zhōng）可縮小散熱器體積，部分低功率電源甚（shèn）至可（kě）省去散熱器，進（jìn）一步優化係統集成度。