
揚傑科技超低導通電壓(VF)橋式整流器(qì)係列(封裝6KBJGBU/JA)采用自製(zhì)的外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構製程技術,其通過增加截止環和終端鈍化層,多次的光照製(zhì)程, 來(lái)實現超低導通電壓(yā)(VF), 較低的高溫漏電流,優良的可靠性. 適用於各(gè)種應用中的橋式整流(liú)器(qì),進而提升整體電(diàn)源效能和更穩定的(de)可靠度。
在超(chāo)低導通電壓(VF)橋式整流器係列中更推出領先(xiān)市場的800V產品(電流包含了15A/25A/ 35A), 其(qí)800V的反向耐壓, 在雷擊(Surge) 測試驗證上優於同業600V產品, 超(chāo)群的電性性能和穩(wěn)定的可靠性, 擁有領先同業(yè)超低導通電壓(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效降耗(hào)。另外因采用外延(EPI)+平麵工(gōng)藝(Planar)結構製程技術, 故反向恢複QRR/IRM小,恢複(fù)特性軟,EMI特性優, VF弱溫度係數,較低的高溫(wēn)漏電流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好,即便如此嚴苛的應(yīng)用環(huán)境下, 也能確(què)保客戶應用上(shàng)的可靠性和穩定性。一般用於要求(qiú)高的高功率領域。包括AI電源、 服務器電源、PC電源(80+白金/鈦金PC電源)、通信電源、遊戲機電源等(děng)高功率應用。
LOW VF產品芯片差(chà)異對比:
采用外延(EPI)+平麵工藝(Planar)結構製程技術, 超低導通(tōng)電壓(VF= 0.77V@125°C), 助力客戶提效(xiào)降耗, 反向恢(huī)複QRR/IRM小,恢(huī)複特性軟,EMI特性優, 較低的高溫漏電流(IR= 10uA@125°C), 一般用於要求高的高功率領域。

平麵工(gōng)藝(Planar)結構製程技術, VF / IR 在常溫和高溫, 均優於常規VF(GPP), 助力客戶提效降耗. GBJU2508 耐壓800V產品, 在雷擊(Surge) 測試驗證上優於600V產品。
結語