Coolmos過EMI電磁幹擾的控製手段

SEMIHOW利用多層外延工藝實現的COOLMOS產（chǎn）品（pǐn）助力工程師對產品的（de）小型化設計,並解決EMI,EMC測試不好通過的問題。

多層外延工藝，通過優化內部的電（diàn）容和電阻來減（jiǎn）少EMI電磁幹擾（rǎo）的噪聲，最大限度的平衡電（diàn）磁幹擾和效率，提（tí）高產品穩定性。

電磁幹擾EMI相對於其（qí）他友（yǒu）商減少3-5個DB的規格，更容易通過EMI測試。較其他（tā）公司使用的溝（gōu）槽超級結工藝，這些多（duō）層外（wài）延的MOSFET實現了前所未有的性能改進。

諸如智能（néng）手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁幹擾（rǎo）（EMI），電（diàn）磁兼容（EMC）受益於此優勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電（diàn）視適配器（qì）、照明、音響和（hé）輔助電源的快速（sù）開關和高功率密（mì）度設（shè）計。

目前推出的量產品（pǐn）種包含600V~900V的電壓（yā）係列，同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇（zé），可支持纖巧型設計。

SemiHow的總部位於韓國，擁有先進的（de）半導體（tǐ）技術，基於中國和中國先進半（bàn）導（dǎo）體（tǐ）技術的高質量生產。

以中國公司的牢固（gù）合作夥伴關（guān）係為基礎。具有獨特競爭能力，並且主要專注於中（zhōng）國市場。