維安TOLL封裝的功率MOSFET是用於大電流應用場景，最優化的封裝。其產品係（xì）列最大電流可達300A以上，主要應用於類似動力（lì）BMS、逆變儲能、低速電動車、電動工具、無人機電調（diào）、潛航器電機（jī）等大電流（liú）應用場景。

TOLL 封裝的占位麵積僅（jǐn）為 9.90 mm x 11.68 mm，與 TO-263-7L封裝相（xiàng）比，PCB 麵積可節省 30%。它的（de）外形僅為 2.30 毫（háo）米，占用的體積（jī）比TO-263-7L封裝小 60%。

除了尺寸更小外，TOLL 封裝還提供比（bǐ） TO-263-7引線更（gèng）好的熱性能和（hé）更低（dī）的（de）封（fēng）裝電感 (2 nH)。其開爾文源配置確保更低的柵極噪聲和開關損耗，與沒有開爾文配置的器件相比，包括開啟損耗 (EON) 降（jiàng）低 60%，確保在具有挑戰性的電源設計中顯著提高能效和功率密度，改（gǎi）善電磁幹擾(EMI) 並更容易進（jìn）行PCB 設計。

TOLL封裝產品特點（diǎn）：

● 小管（guǎn）腳, 低剖麵

● 超（chāo）大通流能（néng）力

● 超小的寄生電感

● 大的焊接（jiē）麵積

TOLL封裝產（chǎn）品優勢：

● 高效率和低係（xì）統成本

● 更少的並聯數量和冷卻需求

● 高功率密（mì）度

● 優秀的EMI性能

● 高可靠性

TOLL 與TO-263-7L外（wài）觀對比

30% footprint reduction !

50% height reduction !

60% space reduction !

TOLL封裝與TO-263-7L封裝的寄生參數對比

維安TOLL封裝量產產品係列

維安TOLL封裝產品規劃（huá）

維安TOLL封裝產品的優勢介紹

較高的功率密度

新（xīn）能源產品（新能源汽（qì）車、儲能（néng）及配套應用（yòng））與大功率電源及電機的快速發展，對產品（pǐn）能效要（yào）求進一步提高，MOS管需要（yào）承受瞬間（jiān）高（gāo）能量通過，並（bìng）需要在有限的材料物理散熱極限內，達到最高散熱率與最低的熱阻，在這一極限條件下，TOLL封裝超低導通阻抗和寄生電感、以及更出色的EMI表現和熱性能（néng）正好滿足這一發展趨勢要求，其次TOLL封裝（zhuāng）實際電路設計應用中所需的並聯和散熱部件較少，可以節省（shěng）PCB空間，從而（ér）提（tí）高整體可靠性。

較低的溫（wēn）升

BMS應用中，在承受持續大電流充放電的過程中，MOSFET的溫度表（biǎo）現（xiàn）對於係統（tǒng）的整體效率和溫（wēn）度至關（guān）重要，TOLL封裝產（chǎn）品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），在26℃環境溫度下，通過持續40A過流能力考驗：

通過PCB散熱，溫升僅為61℃；

通過鋁基板散熱，溫升僅為（wéi）32℃。

PCB散熱

鋁基板散熱

較高的短路耐量

BMS和電機控製的應用中，MOSFET在短路瞬（shùn）間，會承受短時間幾十uS~幾百mS的大電流衝擊，瞬態功率（lǜ）高達上百KW，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在電機高速旋轉（zhuǎn）中（zhōng）遇到搭接短路（lù）時的功率表現。

下圖（tú）：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗

單（dān）體短路，VDD=88V 短路最大電流1550A，最大（dà）耗散功率101.5KW。

強壯持續線性工作模式

在線性模式下（xià），MOSFET在飽和狀態（tài）或飽和區域中工作，它表現為柵極（jí）電壓控製的電流（liú）源，與完全導通（或完全（quán）增強）的（de）情況相反（fǎn），MOSFET在線性模式下的漏極-源極阻抗相對較高，因而功耗也比較高。在線（xiàn）性模式下，功率等於漏極電流與漏極-源極電（diàn）壓的乘積(ID × VDS)，兩者數值都比（bǐ）較高，實驗室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在接近（jìn）直流操（cāo）作的（de）長脈衝時間測試MOSFET線性模式（shì）魯（lǔ）棒性（xìng），產品在線（xiàn）性模式工作條件下的功率能力，均在理（lǐ）論安全工（gōng）作區 (SOA) 範圍內，防止器件出現任何熱失控。

下圖（tú）：VDS=28V Ids=2.5A 線性模式70W耗散功率持續工作。

超強的電機重載驅動（dòng）能力

3000W大功率72V電機（jī）係統，對於MOSFET器件（jiàn）帶（dài）載能力要求苛刻，實驗（yàn）室模擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），6管橋臂（bì）MOSFET驅動，上下兩兩交叉導通（tōng），導（dǎo）通時一管保持開（kāi）啟，一管（guǎn）為PWM調製信號，根據PWM占空比的大（dà）小來調整輸出電流的大（dà）小。

下（xià）圖：拉載感性負載，示波器波形1CH:上橋臂（bì）Vgs 2CH:上橋臂Vds

六顆MOS拉載72V 42A ，3000W直流無（wú）刷電機（jī）負載。

下（xià）圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH：Ids M1:MOS功耗；

上橋臂MOS能夠承受103V，1300A瞬時功率衝擊。