mos管一般就是pmos，靠空穴流動運送電流的mos管。那要如何選擇一個合適的mos管呢？
一、選擇n溝（gōu）道還是p溝道。在典型（xíng）的（de）功率應用中，mos管接地，負荷連（lián）接到幹線電壓時，該mos管管（guǎn）構成低壓側開（kāi）關。在低壓側開關中，應（yīng）采用n溝道mos管（guǎn），這是關閉（bì）或導（dǎo）通（tōng）部件所需的電壓。mos管連接到總線（xiàn）和負荷接地時，請（qǐng）使用高壓側開關。通常在這個中采用p溝道的mos管，也是為了考慮電壓驅動。選擇適合應用的設備（bèi），必須確（què）定驅動設備所需的電壓和設（shè）計中比較簡單的執行方法。
二、確定額定電流。根據電路結（jié）構，這個額定電流應該是所有情況下都（dōu）能（néng）承受的較大電流。與電壓狀況類似，設計人員（yuán）務必確保選用的mos管能（néng）夠承種（zhǒng）額定（dìng）電流，即使係統產（chǎn）生尖峰電流。兩個考慮的電流狀況是連續模式（shì）和脈衝高（gāo）峰。在連續導（dǎo）向模式下，mos管穩定，此時電流連續通過設備。脈衝（chōng）尖峰是指大量電湧(或（huò）尖峰（fēng）電流)流過設備。隻要確定了這些條件（jiàn）下的較大電流，就可以（yǐ）直接選擇能夠承受這個較大電流的設備。
三、計算導通（tōng）損失。實際上，mos管不是理（lǐ）想的設備。因為在導電過程中會產（chǎn）生電力損失，所以被稱為導電損失（shī）。
mos管在“導通”時像可變電阻，由設備的RDS(ON)決定，隨著溫度而顯著變化。設備的功（gōng）力消耗可以用Iload2×RDS(ON)計算，由於（yú）導通電阻隨溫度（dù）的變化，電（diàn）力消耗也會按比例變（biàn）化。對mos管施加的電壓VGS越（yuè）高，RDS(ON)越小，RDS(ON)越高。對（duì）於係統設計者來（lái）說，這是根據係統的電壓需要折中權衡的（de）地方。在便攜式設計中，采用（yòng）較低的電壓更容易(更常見（jiàn）)，而對於工業設計，可以使用較高的電壓。請注意RDS(ON)電阻隨電流稍微上升。RDS(ON)電阻的各種電參數變化可以在製造商提（tí）供的技術資料表中找到。
四、確定（dìng）熱（rè）要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況（kuàng），建議（yì）采用很不好的情（qíng）況計算結果。因為這個結果提供了更大的安全餘量，所以係統不（bú）會失效。
mos管的資料表（biǎo）上有需（xū）要注意的測（cè）量數據，例（lì）如包裝部件的半導體結和（hé）環（huán）境之間的（de）熱阻和較大結溫。
設（shè）備的結溫等於環境溫度極限和熱阻（zǔ）和功率消耗的乘積（jī）(結溫=較大環境溫度+[熱阻×功率消耗])。根（gēn）據該方程可以解決係統的（de）較大功率消耗，即根據定義相（xiàng）當（dāng）於I2×RDS(ON)。設計者決定通過設備（bèi）的較大電流，因此可以計算不同溫度的RDS(ON)。值得（dé）注意的（de）是，在處理簡單的熱模型時，設計者還必須考慮半導體結（jié）/設備外殼和外殼/環境的熱容量，即印刷電路板和封裝不會立即升溫。
五、決定開關的性能。影響開（kāi）關性能的參數有很多，但重要的（de）是柵極/漏極、柵極/源和漏（lòu）極/源極電容器。這些電容器（qì）在設備中產生開關損失。因為每次開關都要充電。mos管的開關速度下降，設備效率（lǜ）也下降。為了計算開關中設備的（de）總損失，設計者必須計算開關中（zhōng）的損失(Eon)和關閉中的損失(Eoff)。MOSFET開關的總功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。柵極電荷(Qgd)對開關（guān）性能的影響非常大。
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