CoolMOS的使用是一個趨勢，因為平麵MOS已經不能滿足電源的效率溫度等（děng）需求。

CoolMOS的應用（yòng）優勢

1.導通阻（zǔ）抗小，導通損耗小

由於SJ-MOS 的Rdson 遠遠低於VDMOS，在係統電（diàn）源類產品中SJ-MOS 的導通損耗（hào）必（bì）然較之VDMOS要減（jiǎn）少的多。

其大大提高了係統產品上麵的單體MOSFET 的（de）導通損耗，提（tí）高了係統產品的效率，SJ-MOS的這個優點在大功率、大電流類的電源產（chǎn）品產品上（shàng），優勢表現的尤為突出。

2.同等功率規格下封（fēng）裝小，有利於功（gōng）率密度的提高

首先，同（tóng）等電（diàn）流以及電壓規格條件（jiàn）下，J-MOS 的（de）晶源麵積要小於VDMOS 工藝的晶源麵積，這樣作為MOS 的廠家，對於同一規格的產品，可以封裝出來體（tǐ）積相對較小的產品，有利於電源係統功率密度的提高（gāo）。

其次（cì），由於SJ-MOS 的導通損（sǔn）耗的降低從而降低了（le）電源類產品的損耗，因為這（zhè）些（xiē）損耗都（dōu）是以（yǐ）熱量的形式散（sàn）發出（chū）去，我（wǒ）們（men）在實際中往往會增加散熱器（qì）來降（jiàng）低MOS 單體的（de）溫升，使其保證在合適的溫度範圍內。

由於SJ-MOS 可以有效的減少發熱量，減小了散熱器的體積，對於一些功率稍低的電源，甚（shèn）至（zhì）使用SJ-MOS 後可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了係統電源類（lèi）產品的功率密度。

3.柵電荷小，對（duì）電路的驅動能力要求降低（dī）

傳統VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經常（cháng）會遇到由於IC 的驅動能力不（bú）足造成的溫（wēn）升問題，部分產品在電路設計（jì）中為了增加IC 的驅動能力，確保MOSFET 的快速導通，

我們不得不增加推挽或其它類型（xíng）的驅動電路，從而增加了電路的複雜（zá）性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動（dòng）能力的要求，提高了係統（tǒng）產（chǎn）品的可靠（kào）性。

4.節電容小，開關（guān）速度加快，開關損耗小

由於SJ-MOS 結（jié）構的改變，其輸出的（de）節電容也有較大的降低，從而降低了其（qí）導通及關（guān）斷過程中的損耗。同時由於SJ-MOS 柵電容也有了響應的減小，電容充電時間（jiān）變短，大大的（de）提高了SJ-MOS 的開關速度。

對於頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高（gāo）整個電源係統的效率。這（zhè）一點尤（yóu）其在頻（pín）率相對較高的電源上，效果更加明顯（xiǎn）。

MOS在發展，損耗會越來越低。電源方案隻會朝著更高效率（lǜ）和更小（xiǎo）體積（jī）發展（zhǎn）。

Coolmos的宗旨是追求：開關（guān）低損（sǔn）耗。在Coolmos上，是通過P柱，形（xíng）成更（gèng）大的PN結，從而降低Rds。Coolmos降低了Rds，所以它的EAS能力（lì）較之平麵管要低，這也對電源設計（jì）者提出了更高的要求。

SEMIHOW利用多層外延工藝實現的COOLMOS產品助力工（gōng）程師對產品（pǐn）的小型化設計,並解決EMI,EMC測試（shì）不好通過的問題。

較其他公司使用（yòng）的溝槽超級結工藝，這些多（duō）層外（wài）延的MOSFET實現了（le）前所未有的性能改進。諸（zhū）如智能手機和平板電腦充（chōng）電器以及筆（bǐ）記本電腦適配器等電磁幹擾（EMI），電磁（cí）兼容（EMC）受益於此優勢。

此外（wài），CoolMOS支持針對小體積PD電源，電（diàn）視（shì）適（shì）配器、照明、音響和輔助電源的快速開關和高功率密度設計（jì），目前推出（chū）的量產品種包（bāo）含600V~900V的電壓係列。

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