肖特基二極管是以其發（fā）明者肖特基博士的名字命名的（de），SBD是肖（xiāo）特基二極管(SBD)的簡（jiǎn）稱。SBD不是利（lì）用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理（lǐ），而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體結的原理。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接觸)二極管或表麵（miàn）勢壘二極管，它是一種熱（rè）載流子二極管。
肖（xiāo）特基二極管是（shì）由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等（děng）)製成的金屬半導體器件（jiàn）。)A作為（wéi）正電極，N型半導體B作為負電極，並利（lì）用在兩者的接觸表（biǎo）麵上形成的勢壘的整流特性。因為（wéi）在N型半導體（tǐ）中有（yǒu）大量的（de）電子，而在貴金屬中隻有非常少量（liàng）的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨（suí）著電子繼續從（cóng）B擴散到A，B表麵上（shàng）的電子濃度（dù）逐（zhú）漸降低，表麵（miàn）的電中性被破壞，從而形成電（diàn）場方向為B A的勢壘。然而，在該電場的（de）作用下，A中的電子也將（jiāng）產生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度的空（kōng）間電荷區時，電場引起的電子漂移運動和不同濃（nóng）度（dù）引起的電子擴散運動達（dá）到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
典（diǎn）型的（de）肖特基整流（liú）器的（de）內（nèi）部電路（lù）結構基（jī）於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以形成（chéng）阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於消除邊緣區域的電場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通（tōng）電阻，並且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底（dǐ）下麵形成一（yī）個氮陰極層，以降低陰（yīn）極的接觸電阻。如圖所示，通（tōng）過調（diào）整結構參數，在N型襯底和陽極金屬（shǔ）之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特（tè）基勢壘的兩端時(陽極金（jīn）屬連接到電源的陽極，並且N型襯底（dǐ）連接到電源的陰（yīn）極（jí）)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內部電阻變得（dé）更小。另一方麵，如果反向（xiàng）偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電阻變大（dà）。
肖（xiāo）特基整（zhěng）流管的結構（gòu）原理與PN結整流管有很大不（bú）同。PN結整流管通常被（bèi）稱為結（jié）整流管，而金屬半導管整流管（guǎn）被稱為肖特基整流管。用矽平麵工藝製造的鋁矽肖特基二極管也已問（wèn）世，它不僅可以（yǐ）節約貴（guì）金屬，大大降低成本，還可以提高參數的一致（zhì）性。
上述所（suǒ）講解的就是
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