肖（xiāo）特基二極管是以其（qí）發明者肖特基博士的名字命名的（de），SBD是（shì）肖特基二極管(SBD)的簡稱（chēng）。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金（jīn）屬-半導體接觸形成（chéng）金屬-半導體結的原（yuán）理。因此，SBD也被（bèi）稱為金屬半導體(接觸)二極管或表（biǎo）麵勢壘二極管，它是一種熱載（zǎi）流子二極管。
肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑（bó）等)製成的金（jīn）屬半導體器件。)A作為正電極，N型半導體B作為負電極，並（bìng）利（lì）用在兩（liǎng）者的接觸表麵上形成的勢（shì）壘（lěi）的整流特（tè）性。因為（wéi）在N型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中隻有（yǒu）非常少量的自由電子，所以電子從高（gāo）濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在（zài）金屬A中沒有（yǒu）空穴，因此沒有（yǒu）空（kōng）穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼續（xù）從B擴散到A，B表麵上的電子濃度逐漸降低，表麵的電中性被破壞，從而（ér）形成電場方向為B A的勢壘。然而，在該（gāi）電場的作用下，A中的電子也將產（chǎn）生從A到B的漂移運動，從而削（xuē）弱（ruò）由擴散運動形成的電場。當建（jiàn）立一定寬度的空間電荷區時（shí），電場引起的電子漂移運動和不同（tóng）濃度引起的電子擴散（sàn）運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
典型的肖特基（jī）整流器（qì）的內部電（diàn）路結構基於N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延（yán）層。陽（yáng）極由鉬或鋁和其他材料製成，以形成阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於消除（chú）邊緣區域的電場並提高管的耐（nài）壓性。該（gāi）N型襯底具有非常小的導通電（diàn）阻，並且其摻雜濃（nóng）度比H層的摻雜（zá）濃度高100%。在襯底（dǐ）下麵形成一個（gè）氮陰極（jí）層，以降低陰極的接觸電阻（zǔ）。如圖所示，通（tōng）過調（diào）整結構參數，在（zài）N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，並且N型襯底連接到（dào）電源的陰極)，肖特（tè）基勢壘層變得更窄（zhǎi），並且其內部電阻變（biàn）得更小。另一方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩（liǎng）端，肖特基勢壘層變寬，並且其內部電阻變大。
肖特基二（èr）極管的結構原理與PN結（jié）整流管有很大（dà）不同。PN結整（zhěng）流管通常被稱為結整流管，而金屬半導管整流管被稱（chēng）為肖特基整流（liú）管。用矽平麵（miàn）工藝（yì）製（zhì）造的鋁（lǚ）矽肖特基二極管也已問世（shì），它不僅可以節約貴（guì）金屬，大大降低成本，還可以提高參（cān）數的一致性。
上述所講解的就是
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