導語：綠星電子的功率元件可在各式電源與電機驅動應用中實現更高的效率，功（gōng）率密度和成本效益。 DG-FET™和SuperTrench™產（chǎn）品（pǐn）組合（hé）涵蓋20V至200V規格，可同時解決低開關頻率和高開關頻率問題。

DG-FET™介紹

現代科技對運算功率的（de）需（xū）求日益增高（gāo），雲端運算、物（wù）聯（lián）網及社（shè）交媒體（tǐ）等主流趨（qū）勢，更是發揮了推波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉換鏈也因此（cǐ）需要更高的能源效率（lǜ）。

與傳統溝槽式MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術的DG-FET™是利用額外的多晶矽閘來達成電荷平衡。藉由電荷（hé）平衡的方式，將致使原本MOSFET的空乏（fá）區電 場由一維電荷變為由二維（wéi）的電荷分布（bù）所決定（dìng）。

因此其崩（bēng）潰電壓將較傳統的溝（gōu）槽式MOSFET為高。

若將DG-FET™與現今傳統的溝槽式MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件（jiàn），但DG-FET™可（kě）以進一步降低磊晶層的阻值，因而可以獲得較低的導通阻抗.

另外，由於開關雜訊更低，因此（cǐ）采用DG-FET™技術也能有效大（dà）幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET™與友商公司Trench關鍵參數（shù）MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態次級驅動電壓：

總（zǒng）結：綠星MOSFET,DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效（xiào）應（yīng），DG-FET係列可以抑製（zhì），比SuperTrench係列更有效地（dì）切（qiē）換噪音和振鈴。RDS（on）導通電阻比（bǐ）其他同類元（yuán）件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™產品（pǐn）組合涵蓋20V至200V規（guī）格（gé），可同時（shí）解（jiě）決低開關頻率和高開關（guān）頻率問題。