WMJ53N65F2 MOSFET參數詳解

基本信息

WMJ53N65F2是一款（kuǎn）由WAYON生產的N溝道（dào）超級結（Super Junction）MOSFET，具（jù）有以下基本參數：

• 型（xíng）號：WMJ53N65F2

• 製造商：WAYO‍N

• 封裝形（xíng）式：TO-220F

• 漏極（jí）至源（yuán）極電壓（VDS）：650V

技術參數

電氣特性

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時，RDS(on)為0.078Ω。

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為50A。

• 功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。

• 柵極電壓（VGS）：典型值（zhí）為3V。

• 開啟閾值（zhí）電（diàn）壓（VGS(th)）：典型值為3V。

• 市場供應信息

• 維安供應商：東莞市策驰影视（ruì）電子有限公司

  主營業務：專注於（yú）銷售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種（zhǒng）MOSFET產（chǎn）品。

• 維（wéi）安超結MOSFET
  聯係人： 曾先（xiān）生 153-3800-0102