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WMK93N20JN

產品詳（xiáng）情

WMx93N20JN 是 WAYON 推出的 N 溝（gōu）道 200V 功率 MOSFET 係列（包含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL/WML 型號），核（hé）心優勢為典型導通電阻 7.3mΩ、柵極電荷最小化、100% UIS 測試、無鉛無鹵素且 RoHS 合規，關（guān）鍵額定參數包括連續漏極電流 136A（Tc=25°C）、脈衝漏極電流（liú） 408A、雪崩能量 650mJ，支持 TO-220、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL 等多種封裝，適用於對功率密度（dù）和效率有高要（yào）求的開（kāi）關應用。

1. 產品概述

產品係列：WMx93N20JN（包含子型號：WMK93N20JN、WMM93N20JN、WMN93N20JN、WMJ93N20JN、WMLL93N20JN、WML93N20JN）
產品類型：N 溝道 200V 功（gōng）率 MOSFET
核心定位：適（shì）用於對功率密度和效率有卓越要求的應用場景
文檔信息：版本 Rev.2.0（2024），文檔編號 W0820007

2. 核心特性

電氣特性：柵極電荷最小化，典型導通電阻 RDS(on)=7.3mΩ（VGS=10V、ID=30A、Tj=25°C）
可靠性：100% UIS 測試（非鉗（qián）位感性開關（guān）測試）
環保合規：無鉛鍍層、無鹵（lǔ）素、RoHS 合（hé）規
溫度適配：工（gōng）作和存儲溫度範圍 -55°C 至 + 150°C

3. 絕對最大額定值（Tc=25°C，除非另有說明）

參數	符號	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	單位
漏源電壓	VDSS	200	-	V
連續漏極電流（Tc=25°C）	ID	136	-	A
連續漏極電流（Tc=100°C）	ID	82	-	A
脈衝漏極電流（liú）	IOM	408	-	A
柵源電壓	VGS	±20	-	V
單脈衝雪（xuě）崩能量	EAS	650	-	mJ
重複雪崩能量	EAR	0.3	-	mJ
重複雪崩電流（liú）	IAR	4	-	A
功率損耗（hào）（Tc=25°C）	PO	290	34	W
功率損耗（hào）降額係數（>25°C）	PO Derate	2.32	0.27	W/°C
連續二極管正（zhèng）向（xiàng）電流	IS	136	-	A
二（èr）極管脈衝電流	IS.pulse	408	-	A

4. 熱特性

參數（shù）	符號	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	單位（wèi）
結殼熱（rè）阻	RθJC	3.6	0.43	°C/W
結環境熱阻	RθJA	80	62	°C/W

5. 電氣特性（Tj=25°C，除非另有說明（míng））

（1）靜態特性

參數	符號	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊（jī）穿（chuān）電（diàn）壓	BVDSS	VGS=0V、ID=1mA	200	-	-	V
柵極閾值電（diàn）壓	VGS(th)	VDS=VGS、ID=0.25mA	2.2	3.2	4.2	V
漏極截止電流（Tj=25°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	1	30	μA
漏極截止電流（Tj=125°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	30	-	μA
正向柵極泄漏電流	IGSSF	VGS=20V、VDS=0V	-	-	500	nA
漏源（yuán）導通電阻	RDS(on)	VGS=10V、ID=30A	7	7.3	8.6	mΩ

（2）動態特性

參數	符號	測試條件	最小值	典型（xíng）值	最大值	單（dān）位
輸入電容	Ciss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	5290	-	pF
輸出電容（róng）	Coss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	187	-	pF
反向傳輸電容	Crss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	32	-	pF
導通延遲時間	td(on)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	16	-	ns
上升時間	tr	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	49	-	ns
關斷延遲時間	td(off)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	43	-	ns
下降時（shí）間	tf	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	11	-	ns

（3）反向二（èr）極管特性

參數	符號	測試條件	典型值	最大值	單位
二極管正向電壓	VSD	VGS=0V、IF=30A	-	1.2	V
反向恢（huī）複時間	trr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	65	ns
反向恢複電荷	Qrr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	0.65	-	μC
峰值反向恢複電流	Irrm	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	8.7	A

6. 封裝類型及訂購（gòu）信息

型號	封裝	標記	包裝方式
WML93N20JN	TO-220F	WML93N20JN	管狀（Tube）
WMK93N20JN	TO-220	WMK93N20JN	管狀（Tube）
WMN93N20JN	TO-262	WMN93N20JN	管狀（Tube）
WMM93N20JN	TO-263	WMM93N20JN	卷帶包裝（Tape and Reel）
WMLL93N20JN	TO-LL	WMLL93N20JN	卷帶包裝（Tape and Reel）
WMJ93N20JN	TO-247	WMJ93N20JN	管狀（Tube）

7. 機械尺寸（關（guān）鍵（jiàn）尺寸，單位：mm）

封裝	關鍵尺寸範圍（MIN-MAX）
TO-220F	A:9.96-10.36、B:15.10-16.10、C:3.03-3.38
TO-263	A:4.37-4.89、E:9.80-10.40、L:2.00-2.70
TO-262	A:4.37-4.90、D:23.20-24.02、L:13.33-14.16
TO-220	A:9.70-10.30、F:15.10-16.90、J:9.25-11.00
TO-LL	A:2.15-2.45、D:10.1-10.6、H:11.38-11.88
TO-247	A:4.80-5.21、D:20.70-21.30、L:19.62-20.32

8. 應用場景

核心（xīn）應用：開關應用（yòng）（需（xū）高功率密度、高效率的電力電子場景）

免責聲明：產品不設計用於航空、核能、醫療設備等高危環境；WAYON 保留變（biàn）更產品參數的權利，文檔信息不構成特性或條件保（bǎo）證。

4. 關鍵問題（tí）及（jí）答案

問題 1：WMx93N20JN 係列 MOSFET 的（de）核心電氣額定參數有哪些，可支撐其高功率應用的關（guān）鍵指標（biāo）是什麽？

答案（àn）：核心電氣額定參數包括：漏源電壓 200V、連續漏極電流 136A（Tc=25°C）、脈衝漏極電（diàn）流 408A、單脈衝雪崩能量 650mJ；支撐高功（gōng）率應用的關鍵指標是（shì）低典型導通電阻 7.3mΩ（減少導通損耗）、大電流承載能力（136A 連續 / 408A 脈（mò）衝（chōng））、高（gāo）雪崩能（néng）量（650mJ，提升感性負載開（kāi）關可靠性），以及（jí）寬溫度適（shì）配（pèi）範圍（-55°C 至（zhì） + 150°C）。

問題 2：該係列 MOSFET 有哪些封裝類型，不同封（fēng）裝對應的包裝（zhuāng）方式和（hé）核心熱阻差異是什（shí）麽？

答案（àn）：封裝類型包括（kuò） TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL；包（bāo）裝方式分為兩類：管（guǎn）狀（Tube）適用於 TO-220、TO-220F、TO-262、TO-247 型號，卷（juàn）帶包裝（Tape and Reel）適用於 TO-263、TO-LL 型號；核心熱阻差異：結（jié）殼熱阻（RθJC）方麵，WML 型號（TO-220F）最低為 0.43°C/W，其他（tā）型號（如 TO-220、TO-262 等）為 3.6°C/W；結環境熱阻（RθJA）WML 型（xíng）號 62°C/W，其他型號 80°C/W，TO-220F 封（fēng）裝的熱擴散能力更優。

問題 3：WMx93N20JN 係列的反向二（èr）極管特性如何（hé），其動態開關性能（néng）參數（shù）對開關應用有何影（yǐng）響？

答案：反向二極管特性：正向電（diàn）壓（yā）最大值 1.2V（IF=30A）、反向恢複時間最大值 65ns、反向（xiàng）恢複電荷典型值 0.65μC、峰值（zhí）反向恢複電流最大值 8.7A，低正向電（diàn）壓（yā）和短反向恢複時間可減少續流損耗（hào）；動態開關性能參數包括（kuò）：導通延遲時間 16ns、上升時（shí）間（jiān） 49ns、關斷（duàn）延遲（chí）時間 43ns、下降時間 11ns，快速的（de）開關速（sù）度（ns 級延遲和過渡時間）可降低（dī）開關損耗，配合低輸入電容（典型 5290pF）減少驅（qū）動損耗，使產品更適配高頻開關應用場景。

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WMx93N20JN 是 WAYON 推出的 N 溝道 200V 功率 MOSFET 係列（包含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL/WML 型號），核心優勢為典型導通電（diàn）阻 7.3mΩ、柵極電荷最小化、100% UIS 測試、無鉛無鹵素且 RoHS 合規，關鍵額定參數包括連續（xù）漏極電流 136A（Tc=25°C）、脈衝漏極電流 408A、雪崩能量 650mJ，支（zhī）持 TO-220、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL 等多種封裝，適用於（yú）對功率密度和效率有高要求的開關應用。

1. 產品概述

產品係列：WMx93N20JN（包含子（zǐ）型號：WMK93N20JN、WMM93N20JN、WMN93N20JN、WMJ93N20JN、WMLL93N20JN、WML93N20JN）
產品類型：N 溝道 200V 功率 MOSFET
核心定位：適用於對（duì）功率密度和效率（lǜ）有卓越要求的應用場（chǎng）景
文檔信息（xī）：版本 Rev.2.0（2024），文檔（dàng）編號 W0820007

2. 核心特性

電氣特性：柵極電荷最小化（huà），典型導通電（diàn）阻 RDS(on)=7.3mΩ（VGS=10V、ID=30A、Tj=25°C）
可靠性：100% UIS 測試（非鉗位感性開關測試）
環保合規：無鉛鍍層、無鹵素、RoHS 合規
溫度適配：工作和存儲溫度（dù）範圍（wéi） -55°C 至 + 150°C

3. 絕（jué）對最大額定值（Tc=25°C，除非（fēi）另有說（shuō）明）

參數	符號	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	單位
漏源電壓（yā）	VDSS	200	-	V
連續漏極電流（Tc=25°C）	ID	136	-	A
連續漏極電流（Tc=100°C）	ID	82	-	A
脈衝漏極電流	IOM	408	-	A
柵源電壓	VGS	±20	-	V
單脈（mò）衝雪崩能量	EAS	650	-	mJ
重複雪崩能（néng）量	EAR	0.3	-	mJ
重複雪崩電流	IAR	4	-	A
功（gōng）率損耗（Tc=25°C）	PO	290	34	W
功率損（sǔn）耗（hào）降額係（xì）數（>25°C）	PO Derate	2.32	0.27	W/°C
連續二極管正向電流	IS	136	-	A
二（èr）極管脈衝電流	IS.pulse	408	-	A

4. 熱特性

參數	符號	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	單位
結殼熱阻	RθJC	3.6	0.43	°C/W
結環境熱阻	RθJA	80	62	°C/W

5. 電（diàn）氣特性（Tj=25°C，除非另有說明）

（1）靜態特性

參數	符（fú）號	測試條件	最小值	典型值（zhí）	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V、ID=1mA	200	-	-	V
柵極閾（yù）值電壓	VGS(th)	VDS=VGS、ID=0.25mA	2.2	3.2	4.2	V
漏極截止電（diàn）流（Tj=25°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	1	30	μA
漏極截止電流（Tj=125°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	30	-	μA
正向柵極泄漏電流	IGSSF	VGS=20V、VDS=0V	-	-	500	nA
漏源導（dǎo）通電阻	RDS(on)	VGS=10V、ID=30A	7	7.3	8.6	mΩ

（2）動態特性

參數	符號	測（cè）試條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電容	Ciss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	5290	-	pF
輸出電容	Coss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	187	-	pF
反向傳（chuán）輸電容	Crss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	32	-	pF
導通（tōng）延遲（chí）時間	td(on)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	16	-	ns
上升時間	tr	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	49	-	ns
關斷延遲時（shí）間	td(off)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	43	-	ns
下降時間（jiān）	tf	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	11	-	ns

（3）反向二極管特性

參數	符號（hào）	測試條件	典型值	最大值	單位
二極管正向電壓	VSD	VGS=0V、IF=30A	-	1.2	V
反向恢複時間	trr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	65	ns
反向恢複電荷	Qrr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	0.65	-	μC
峰值反向恢複電流	Irrm	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	8.7	A

6. 封裝類型及訂購信息

型號（hào）	封裝	標記	包裝方式（shì）
WML93N20JN	TO-220F	WML93N20JN	管狀（Tube）
WMK93N20JN	TO-220	WMK93N20JN	管狀（Tube）
WMN93N20JN	TO-262	WMN93N20JN	管狀（Tube）
WMM93N20JN	TO-263	WMM93N20JN	卷帶包裝（Tape and Reel）
WMLL93N20JN	TO-LL	WMLL93N20JN	卷帶包裝（Tape and Reel）
WMJ93N20JN	TO-247	WMJ93N20JN	管狀（Tube）

7. 機械尺寸（關（guān）鍵尺寸，單位：mm）

封裝	關鍵尺寸範圍（MIN-MAX）
TO-220F	A:9.96-10.36、B:15.10-16.10、C:3.03-3.38
TO-263	A:4.37-4.89、E:9.80-10.40、L:2.00-2.70
TO-262	A:4.37-4.90、D:23.20-24.02、L:13.33-14.16
TO-220	A:9.70-10.30、F:15.10-16.90、J:9.25-11.00
TO-LL	A:2.15-2.45、D:10.1-10.6、H:11.38-11.88
TO-247	A:4.80-5.21、D:20.70-21.30、L:19.62-20.32

8. 應用場景

核（hé）心應用：開關（guān）應用（需高功率密度、高效率的電力電子場景（jǐng））

免責聲明：產品不設計用於航空、核能、醫療設備等高危環境；WAYON 保（bǎo）留變更產品參數的權利，文檔信息（xī）不構成（chéng）特性或條件保證。

4. 關鍵問題及答案

問題 1：WMx93N20JN 係列 MOSFET 的核（hé）心（xīn）電氣額定參數有（yǒu）哪些，可支撐（chēng）其高功率應用的關鍵指（zhǐ）標是什麽？

答案：核（hé）心電氣額（é）定參數（shù）包（bāo）括：漏源電壓 200V、連續漏（lòu）極電流 136A（Tc=25°C）、脈衝漏極電流 408A、單脈衝雪（xuě）崩（bēng）能量 650mJ；支撐高功率應用的關鍵指標是低典型導通（tōng）電阻 7.3mΩ（減少導通損耗）、大電流承載能力（136A 連（lián）續 / 408A 脈（mò）衝）、高雪崩能量（650mJ，提升感（gǎn）性負載開關可靠性），以及寬溫度（dù）適配範圍（-55°C 至 + 150°C）。

問題 2：該係列（liè） MOSFET 有（yǒu）哪些封（fēng）裝類型，不同封（fēng）裝（zhuāng）對應的包裝方（fāng）式和核心（xīn）熱阻差異是什（shí）麽？

答案：封（fēng）裝類型包括 TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL；包裝（zhuāng）方式分為兩類：管狀（Tube）適用於 TO-220、TO-220F、TO-262、TO-247 型號，卷（juàn）帶包裝（Tape and Reel）適用於 TO-263、TO-LL 型號；核心熱阻差異：結殼熱阻（RθJC）方（fāng）麵，WML 型號（TO-220F）最低為 0.43°C/W，其他型號（如 TO-220、TO-262 等）為（wéi） 3.6°C/W；結環（huán）境熱阻（RθJA）WML 型（xíng）號 62°C/W，其他型號 80°C/W，TO-220F 封裝的（de）熱（rè）擴（kuò）散能力更優。

問題 3：WMx93N20JN 係列的（de）反向二極管特性如何，其動態開（kāi）關性能參數對開關應用有何影響？

答案：反向二極（jí）管特性：正向電壓最大值 1.2V（IF=30A）、反向恢複時間最大值 65ns、反向恢複電荷典型（xíng）值 0.65μC、峰值反向恢複電流最大值 8.7A，低正向電壓和短反向恢複（fù）時間可減少（shǎo）續流損耗；動態開關性能參數包括：導（dǎo）通延遲時間 16ns、上升時間 49ns、關斷（duàn）延遲時（shí）間 43ns、下降時間（jiān） 11ns，快速的開關速度（ns 級延遲和過渡時間（jiān））可降低開關損耗，配合低輸入電容（典型 5290pF）減（jiǎn）少驅動損（sǔn）耗（hào），使產品更適（shì）配（pèi）高（gāo）頻開關應用場景。