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WMJ36N65F2

WMJ36N65F2
產(chǎn)品參數

維安超結MOSFET 聯(lián)係人: 曾先生 153-3800-0102

產品詳情

WMJ36N65F2 MOSFET參數詳解(jiě)

產品基本信息

  • 製造商:Wayon(維安)

  • 型號:WMJ36N65F2

  • 描述:N-Channel SJ-MOSFET

  • 封裝類型:TO-247

技術參數詳(xiáng)解

電氣特性

  • 最大漏(lòu)極電壓 (VDS):650V

  • 導通電阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.):0.105Ω

  • 漏極電流 (ID) @ TA=25℃:36A

  • 功率損耗 (PD) @ TA=25℃:277W

  • 柵極電壓 (VGS):30V

  • 柵極閾值電壓 (VGS(th)):(Typ.) 4V


市場供應信息

  • 供應商(shāng):東莞市策驰影视(ruì)電子(zǐ)有限公司

  • 主營業(yè)務:專注於銷售功率半導體元器件,包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。

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