
| 係列類型 | 技術特點 | 電壓範圍 | 電流範圍 | 典型應用 |
|---|---|---|---|---|
| 超結 MOSFET(SJ-MOS) | 深溝槽 / 多次外延技術,低 Rds (on),高雪崩耐量 | 500V-1200V | 2A-99A | 光伏逆變器、儲能 PCS、充電樁、PFC WAYON |
| SGT MOSFET | 屏蔽(bì)柵技術,低 Qg,高開關速度 | 30V-250V | 10A-200A | 同步整流(liú)、DC-DC 轉換(huàn)、電池保護(hù) WAYON |
| Trench MOSFET | 溝槽工藝,高性價(jià)比(bǐ),通用性強 | 12V-100V | 2A-100A | 消費電子、低(dī)壓電源、電機驅動 WAYON |
| 平麵(miàn)型 MOSFET | 快速恢複,低反向恢複電荷 | 200V-1500V | 2A-40A | 硬(yìng)開關(guān)電路、高頻應用 WAYON |
| SiC MOSFET | 碳(tàn)化(huà)矽材料,高頻高效,耐高溫 | 650V-1200V | 5A-40A | 新能源汽車 OBC、高頻逆變器 |
| S TOLL MOSFET | 大電流設計,低(dī)導通損耗 | 30V-100V | 100A-300A | 大功率電(diàn)源(yuán)、電池管理係統 WAYON |
950V/1050V 超高壓平台:國內首家量產 1000V 以上超(chāo)結 MOS,低 Qg 和 Qrr,提升係統(tǒng)效(xiào)率WAYON
WMJ90N60C4:600V/90A/24mΩ,TO-247 封裝,適用於大功(gōng)率 UPS、變頻(pín)器
創新封裝:SOT-223-2L、PDFN8X8 等內置絕緣封裝,提升功率密度