碳化矽（SiC）MOSFET 關（guān）斷（duàn）方式怎麽選（xuǎn）？—— 實戰選型指（zhǐ）南

一、先記住核心結論

• 矽 MOS：常用 0V 關斷

• SiC MOS：強烈推薦 負電壓關（guān）斷（-2V ~ -5V）

二、SiC 為什麽必須優先負（fù）壓（yā）關（guān）斷？

1. 米勒尖峰強，容易誤開通

2. 柵（shān）極振蕩大

3. EMI 更難處理

• 高頻、大功（gōng）率、硬開（kāi）關（guān）下（xià） 極易炸管

• 米勒平台抖動 → 誤導通 → 直通短（duǎn）路

三、兩種（zhǒng）關斷方式對比（直接給結（jié）論）

1）0V 關斷（VGS_OFF = 0V）

• 小功率、低電壓、低頻率

• 軟開關（LLC、相移 ZVS）

• 電流小、dv/dt 溫和

• 對成本敏感，不想做負壓驅動

• 驅動簡單，單電（diàn）源即可

• 關斷（duàn）損耗略（luè）小

• 抗幹擾（rǎo）差

• 硬開關基（jī）本不能用（yòng）

• 容易誤導通

2）負壓關斷（VGS_OFF = -2V ~ -5V）

• 硬開關 PFC、 totem-pole PFC