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發力新基建,維安半導體推出國內16.5mΩ超低內阻超結(jié)MOSFET

受益於國家對新基建項目(mù)的重視,新能源電動汽車充電(diàn)樁和5G基站建(jiàn)設速度迅猛。應新能源(yuán)汽車續航裏程提升和快速充電的要求,充電樁的功率已高達120KW到(dào)180KW。同樣,5G領域也很講求功率的高效性,5G基站單站滿載功率近3700W,約為4G基(jī)站的(de)2.5~3.5倍,電費亦會隨之攀升至3G、4G的4~5倍之大。麵(miàn)對這些用電大戶,耗電問題將是5G時代運(yùn)營商無法回避的問題。降低能耗(hào),提升電(diàn)源效率,是選(xuǎn)擇功率半導體器件時的主要考慮因素。目前,功(gōng)率MOSFET中TO-247封裝是(shì)充電機、充電樁和基站高功率電源模塊應用中最通用的封裝形式。針對超低內阻的高(gāo)壓MOS產品需求,在常規TO-247封裝不能滿足的情況下,電源(yuán)工程師往(wǎng)往(wǎng)會使(shǐ)用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝(zhuāng)來代替。這種超(chāo)大封裝不僅不通用,且成本較高。 順應趨勢,維安經過多年的SJ-MOS技術研發創新,開發出行業內超低(dī)導通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM,采用常規 TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS,導通電阻Rdson低至16.5mΩ,能夠有效提升電源功率密度,解決應(yīng)用(yòng)痛點。

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圖1:常規TO-247 封(fēng)裝示意圖

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圖2:常規(guī)TO-247導通電阻Rdson 對比

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圖3:常規TO-247 品質因數(shù)FOM對比(bǐ)

在品質因數FOM(Rdson*Qg)方(fāng)麵,WMJ120N60CM達到業界領先(xiān)水平(píng)。

在3.3KW PFC模塊電路測試中,WMJ120N60CM和行業某知名(míng)廠商的65R019C7效率幾乎無(wú)差異,甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對(duì)應的輸(shū)入功耗小了1~4W。

WMJ120N60CM具有業(yè)內領先的導(dǎo)通電阻(zǔ)Rdson,且是TO-247通用(yòng)封裝,在有效提(tí)升電源功率密度的同時又節省了空間。目前此款產品主要麵向高功率電源模塊,比如(rú)新能源(yuán)汽車地麵充電樁模塊電源,通信電源和高(gāo)功率充(chōng)電機等行(háng)業,在減少成本費用的(de)情況下實現(xiàn)高效,加速新基建全麵落(luò)地。

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