MOSFET的基本工作原理
對MOSFET(金屬（shǔ）氧化物半導體場效應晶體管（guǎn））的基本結構，要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下半導體表麵。
由（yóu）於缺乏相鄰的原子（zǐ），某種半（bàn）導體的表麵總是其理想晶（jīng）格的一種被擾（rǎo）亂的形態。因此（cǐ），表麵常常會生長一層薄的氧化層或吸附一些其他原子和分子。於是，這些表麵層通常會帶電。
以一（yī）種p型半導體為例（lì），假定其表麵帶正電對少（shǎo）量正電荷可得在（zài）這種表麵，空穴的濃度／密度逐漸降（jiàng）低，其導帶（dài）和價（jià）帶同時向下彎曲，建立起一個厚（hòu）度為hd的耗盡區。
增大正電荷量將導致I qVs I > E; - EF
在這種情況下，導帶和價帶彎曲得更加厲（lì）害，對於（yú）半導（dǎo）體表（biǎo）麵處的一個較（jiào）小區域，費米（mǐ）能級更加靠（kào）近導帶而不是價帶（dài），從而形成一個厚度為（wéi）h的反型層，在反型層中電子是多數載流子。
緊挨著反型層的是（shì）厚度為h.的耗盡層，耗盡層把反（fǎn）型層和P區（qū）隔開。
如果該p型半導體表麵帶負（fù）電，所形成的（de）將是空穴累積（jī）層。N型半導體的特性與之相似：表麵帶正電時形成累積層，表麵帶負電時形成耗盡區負電荷增（zēng）多則形成反型層。
接下來，假定在此p型半導體的（de）表麵有一層薄氧化膜，氧化膜上再鍍一（yī）層金（jīn）屬膜。在這層金屬膜上施加一個正（zhèng）向電壓。進一步再添加兩個n+區分別（bié）作為源區和（hé）
漏區。這（zhè）樣，我們就有（yǒu）了（le）一個最簡單的橫向MOS場效應晶體管的（de）例子。正向電壓的作用和正表麵電荷的作用相同：當（dāng）柵極上有（yǒu）足夠大的正電壓（yā），兩個
n區就會通過反型層連接起來。由於（yú）柵壓Vc>VT,漏（lòu）極和源極之間才有電流通過。
柵源閾值電壓Vr(對n溝道 MOSFET):該（gāi）閾值電壓（yā）是這樣一個柵極電壓，在此電壓下產生（shēng）的電子濃度等於空穴濃度。
MOS場效（xiào）應晶體管可分（fèn）為
1)n溝道MOSFET:在p區形成一個n型（xíng）溝道。
2)p溝道 MOSFET:在（zài）n區形成一個p型溝道。
仔細探查，必須考慮到氧化層在靠近半導體的（de）界麵上含有正電荷。這些電荷的密度（dù）在5x10°~1x101/c㎡數量級（jí）。而且，功率MOSFET的柵區由n型重摻雜多晶矽層組（zǔ）成),由於n*摻雜多晶矽和p型（xíng）半導體（考慮（lǜ）n溝道MOS-
FET)中費米（mǐ）能級的位置不同，柵極和半導體之間已經存在了一個（gè）電勢（shì）差。這兩種效應都以（yǐ）相（xiàng）同（tóng）的方式起作用，猶如一個外（wài）施正柵極電壓，從而導致閾值電壓（yā）V,降低。n溝道 MOSFET在p區低（dī）摻（chān）雜和氧（yǎng）化層電荷密度高的情況下，V是負的，甚至沒有外
加柵極電壓，溝道也會存在。上（shàng）麵所提到的閾值電壓的定義仍然是有效的。
MOSFET 可根據柵極電（diàn）壓分為
1)耗盡（jìn）型：V<0,該器件為常開器件，在柵源加負電壓vc
2)增強型：Vπ>0,n溝道隻在Vc>Vr時才會形（xíng）成（常關器件）。
通常情況下，由於具有常關（guān）特點，電力電子技（jì）術中使用的是增強型MOSFET器件，而且幾乎都是n溝道MOSFET.由於電子的（de）遷移率遠遠高於空穴的（de）遷移率，n溝道MOSFET器件更有優勢。現代器件閾值（zhí）電壓（yā）的典型值被調整到2~4V。
