MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金（jīn）屬-氧化物（wù）半導體場效應晶體管，簡稱金氧半（bàn）場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控製方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選型時我們（men）最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最（zuì）高的 施加電壓 這個電壓（yā）也決定了（le）每次在電路裏麵選擇它（tā）施加的電壓（yā）等級，也就是我們常說的VDSS等級 。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電（diàn）壓，即器件所能承受的最大電壓。根據實踐經驗，額定電壓應當大於幹線（xiàn）電壓或總線電壓，一般會留出1.2~1.5倍的電壓餘量，這樣（yàng）才能提供（gòng）足（zú）夠的保護，使MOS管不（bú）會失效。就選擇（zé）MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受（shòu）的（de）最大電壓，即最大（dà）VDS。由於MOS管所能承受的最（zuì）大電壓會隨溫度變化而（ér）變化，設計人員必須在整個工作溫度範圍內測試電（diàn）壓的變化範（fàn）圍。額定電壓必須有足（zú）夠的餘量覆（fù）蓋這個（gè）變化範圍，確保電路不會失效。此外，設計工程師還需要考慮其他安全因素：如由開關電子設（shè）備(常（cháng）見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。另外，不同應用的額定電壓也有（yǒu）所不同（tóng）；通常（cháng）便攜式設備選用20V的MOS管（guǎn），FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC因為整流（liú）後是（shì）310V,再加上反向電壓，MOS管VDS應選為450～700V。

如下圖：

2.連續漏電流 這個電流（liú）定義（yì）在一個額定（dìng）的（de）結溫 下 它連續能夠通過的最大 直流電流 這兩個參數就決定了 MOS管的應用場合 所以現（xiàn）在的MOS管的話 我們（men）參數（shù）基本上看 連（lián）續（xù）的漏（lòu）電流 以（yǐ）及最大的漏源電壓。

3.mos的（de）結電容。這個直接決（jué）定你芯片的輸（shū）出損耗，如果輸入（rù）過大，芯片可能會發熱嚴重。