業務聯係1533800-0102 曾先生
維安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝道超結型功率MOSFET，專為高壓應用設計。以下（xià）是其關鍵參數和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏源擊穿電壓（VDS）為650V
- 導通電（diàn）阻（zǔ）：在柵源電壓（VGS）為10V時，典型值為0.105Ω
- 電流容量：連（lián）續（xù）漏極電流（ID）在25℃環境下為（wéi）36A
- 功率（lǜ）耗散：最大功耗（PD）為277W（基於25℃環境溫度）
- 柵源電壓：最大額定值為30V
- 閾值（zhí）電（diàn）壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬於（yú）維安的（de）超結MOSFET係列，適用於開關電源、逆變器等高壓場景，具有低導（dǎo）通電阻和高效率的特點。
在采購時，建議通過正規渠道核實（shí）供應商資（zī）質，並注意批號以確保產品時效性。
維（wéi）安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N溝（gōu）道（dào）超結型功（gōng）率MOSFET，專為高壓應用（yòng）設計。以下是其關鍵參數和特性概述：
- 型號：WMJ36N65F2
- 封裝：TO-247
- 電壓耐受：漏（lòu）源擊穿（chuān）電（diàn）壓（VDS）為650V
- 導通電阻：在（zài）柵源電壓（VGS）為10V時（shí），典型值為0.105Ω
- 電流容量：連續（xù）漏極（jí）電流（ID）在25℃環境下為36A
- 功率耗散：最大（dà）功耗（PD）為277W（基於25℃環境溫度）
- 柵源電（diàn）壓：最（zuì）大額定值為30V
- 閾值電壓：典型值約為4V（VGS(th)）
該器件屬於維安的超結MOSFET係列，適用於開關電源、逆變器等高壓場景，具有（yǒu）低導通電阻和高效率的特（tè）點。
在采購時，建議（yì）通（tōng）過正規渠道核實（shí）供應商（shāng）資質，並注意批號以確保產品時效性。
Tel: +86-769-21665206
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