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WMO27N65XJ

產品詳（xiáng）情

WAYON 的WMx27N65XJ 係列超結 MOSFET，基於電荷平衡技術，具備低（dī）導通電阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）、高漏源電壓（yā）（VDS=650V）核心（xīn）優勢，支持 TO-220、TO-252、TO-262 等多種封裝，通過 100% UIS 測試，采用無鉛無鹵素工藝且符合 RoHS 標準，工作溫度範圍為 - 55℃至 + 150℃，適用於 LED 照明、充電器、適配器、PC、LCD TV 及服務器等場景，可提供出色的功率密度和效率。

一、產品（pǐn）基礎信息

品牌與係列：WAYON 旗下WMx27N65XJ 係列超結 MOSFET（含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO/WML 六個（gè）子型號），屬於WMOS™ XJ 新（xīn）一（yī）代產品
核心技術：采用電（diàn）荷平衡技術，主（zhǔ）打低導通電阻（zǔ）和低柵極電荷性能
核心定（dìng）位：滿足高功率密度、高效率需求的（de）功率半導體（tǐ）器件（jiàn）

二、核心特性

關鍵性能亮點（diǎn）：
- 高耐壓（yā）：漏（lòu）源（yuán）電壓（VDS）達 650V，擊穿電壓（yā）（BVDSS）≥650V
- 低導通損耗：典型導通電阻（RDS (on)）僅（jǐn） 0.135Ω（VGS=10V、ID=6A、Tc=25℃）
- 高可靠（kào）性：100% UIS（無鉗位（wèi）感性（xìng）開關）測試
- 環保合規：無鉛鍍（dù）層、無鹵（lǔ）素設計，符合 RoHS 標準
工作環境：
- 工作 / 存儲溫度範圍：-55℃~+150℃
- 柵源電壓耐受：±30V

三、關鍵參數匯總（核心數據）

（1）絕對最大額定值（部分關鍵參數）

參數（shù）	符號	規格（gé）（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	規格（WML）	單位
漏源電壓	VDS	650	650	V
連續漏電流（Tc=25℃）	ID	21	21	A
連續漏（lòu）電流（Tc=100℃）	ID	12	12	A
脈衝漏電流	IDM	47	47	A
功率損耗（Tc=25℃）	PD	135	31	W
功率損耗衰減（jiǎn）率	-	1.08	0.25	W/℃
雪崩能（néng）量（單脈衝）	EAS	210	210	mJ

（2）熱特性參（cān）數

參數	符號	規格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	規（guī）格（WML）	單位
結到殼熱阻	RθJC	0.9	4	℃/W
結到環境熱阻	RθJA	62	80	℃/W

（3）核心電氣特性（Tc=25℃）

特性類別	參數	符號	規格（gé）範圍	典型值	單位
靜態（tài）特性	柵極（jí）閾值電壓	VGS(th)	2~4	3	V
靜態特性	漏極截止（zhǐ）電流（25℃）	IDSS	-~1	3	μA
動態特性	輸入電容	Ciss	-~1170	1170	pF
動態特性	開通延遲時間	td(on)	-~24	24	ns
動態特性（xìng）	關斷延遲時間	td(off)	-~30	30	ns
柵極電荷特性	總柵極電荷	Qg	-~24	24	nC
二極管特性	正向電壓	VSD	-~1.2	-	V
二極管特性	反向恢複時間	trr	-~298	298	ns

四、封裝與包裝信息

（1）封裝類型及對（duì）應型號

型號	封裝類型	包裝方式	標記
WML27N65XJ	TO-220F	Tube	WML27N65XJ
WMK27N65XJ	TO-220	Tube	WMK27N65XJ
WMN27N65XJ	TO-262	Tube	WMN27N65XJ
WMM27N65XJ	TO-263	Tape and Reel	WMM27N65XJ
WMO27N65XJ	TO-252	Tape and Reel	WMO27N65XJ
WMJ27N65XJ	TO-247	Tube	WMJ27N65XJ

（2）典型封裝尺寸（cùn）（TO-252 示（shì）例）

符號	最（zuì）小尺寸（MM）	最（zuì）大尺寸（cùn）（MM）
A	6.40	6.80
B	5.13	5.50
C	0.88	1.28
D	5.90	6.22
E	0.68	1.10

五、應（yīng）用場景

照明類：LED Lighting
電源類：Charger（充電器）、Adapter（適配器）
消費電子 / 服務器：PC、LCD TV、Server

六、其他說明

文檔版本：Rev.2.0（2025 年）
免責聲明：產品不設計用於航空、核能、醫療等可能（néng）導致人身傷害的高危場景，參（cān）數可（kě）能變更，不保證第三方知識產權無侵權（quán）

4. 關鍵問題及答案

問題（tí） 1：WMO27N65XJ 係列 MOSFET 的核心競爭優勢的（de）是什麽？適用於哪（nǎ）些高要求場景？

答案：核心競爭優勢包（bāo）括三點：① 性能優勢（shì）：采用電荷平衡技術，實現低導（dǎo）通電阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）和高耐壓（VDS=650V），兼顧低損耗與高功率密度；② 可靠性優勢：100% UIS 測試，工作（zuò）溫度範圍寬（-55℃~+150℃），適應嚴苛環境；③ 合規優勢：無鉛無鹵（lǔ）素，符（fú）合 RoHS 標準，滿足環保要求（qiú）。適用於對效率（lǜ）、功率密度和可靠性均有高（gāo）要求的場景，如 LED 照明驅動、高性能充電器 / 適配器、PC 電源、LCD TV 電（diàn）源（yuán）及服務器電源等。

問題 2：該係列產品的關鍵電氣參數中，柵（shān）極閾值電壓、最大連（lián）續漏電流及結到殼熱阻的規格範圍分別是多少？不同（tóng）子（zǐ）型號的差異主要體現（xiàn）在哪裏？

答案（àn）：關鍵參數（shù）規格：① 柵極閾值電壓（VGS (th)）：2~4V（Typ.3V）；② 最（zuì）大（dà）連續漏電（diàn）流（ID）：21A（Tc=25℃）、12A（Tc=100℃）；③ 結（jié）到殼熱阻（RθJC）：0.9℃/W（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）、4℃/W（WML）。不同子型號的核心差異在於封裝（zhuāng）類型（對應不同的（de）熱阻、功率損耗及包裝方式），電（diàn）氣性能（néng）核心參數（如 VDS、ID、RDS (on) 典型值）基本一致，僅部分熱特性和功率損耗參數因封裝不同有所區別。

問（wèn）題 3：WMO27N65XJ 型號對應的封裝（zhuāng）類型、包裝方式是什麽？其典型應用場景下，核心性能如（rú）何支撐應用需求？

答案：WMO27N65XJ 對應的封裝類型為TO-252，包（bāo）裝方式為（wéi）Tape and Reel（卷帶（dài）包裝），適合自動（dòng）化貼（tiē）裝生產。核心性（xìng）能對應用場景的支撐：① 低導通（tōng）電阻（zǔ）（0.135Ω Typ.）降低導通損耗，提（tí）升充電器、適配器的轉換效率；② 高耐（nài）壓（650V）確保在 AC-DC 轉換等高壓場景下的穩定性；③ TO-252 封裝（zhuāng）的（de）緊湊（còu）尺寸的適合空間受限的電子設備（如小型充電器、LED 驅動模（mó）塊（kuài）），同時（shí）卷帶包裝適配批量生產，滿足消費電子的規模化需求（qiú）。

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WAYON 的（de）WMx27N65XJ 係（xì）列超結 MOSFET，基於電荷平衡技術，具備低導通電阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）、高漏源電壓（VDS=650V）核心（xīn）優勢，支持 TO-220、TO-252、TO-262 等（děng）多種封裝，通過 100% UIS 測試，采用無鉛無（wú）鹵素工藝（yì）且符合 RoHS 標準（zhǔn），工作溫度範圍為 - 55℃至 + 150℃，適用於 LED 照明、充電器、適（shì）配器、PC、LCD TV 及服務器等場景（jǐng），可提供出色的功率密度和效率。

一、產品基礎信息

品牌與係列：WAYON 旗下（xià）WMx27N65XJ 係（xì）列（liè）超結 MOSFET（含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO/WML 六個子型號），屬（shǔ）於（yú）WMOS™ XJ 新一代產（chǎn）品
核心技術：采用電荷平衡技（jì）術（shù），主打低導通電阻和低（dī）柵極電荷性能
核心定位：滿足（zú）高功率密度、高效率需求的功率半導體器件

二、核心特性

關鍵性能亮點：
- 高耐壓：漏源電壓（VDS）達 650V，擊穿電壓（yā）（BVDSS）≥650V
- 低導通損耗：典型導通電阻（RDS (on)）僅 0.135Ω（VGS=10V、ID=6A、Tc=25℃）
- 高可靠性：100% UIS（無鉗位感性開關（guān））測試
- 環（huán）保合規：無鉛鍍層、無鹵素（sù）設計，符合 RoHS 標準
工作環境：
- 工作（zuò） / 存儲溫度範圍：-55℃~+150℃
- 柵源電壓耐受：±30V

三、關（guān）鍵參數匯總（核心數據）

（1）絕對最大（dà）額（é）定值（zhí）（部分關鍵（jiàn）參數）

參數	符號	規格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	規格（WML）	單（dān）位
漏源電壓	VDS	650	650	V
連續漏電流（Tc=25℃）	ID	21	21	A
連續（xù）漏電流（Tc=100℃）	ID	12	12	A
脈衝漏（lòu）電流	IDM	47	47	A
功率損耗（Tc=25℃）	PD	135	31	W
功率損耗（hào）衰（shuāi）減率	-	1.08	0.25	W/℃
雪崩能量（單脈衝）	EAS	210	210	mJ

（2）熱特性參數

參數	符號	規格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	規格（WML）	單位
結到殼熱阻	RθJC	0.9	4	℃/W
結到環境熱阻	RθJA	62	80	℃/W

（3）核心電氣特性（Tc=25℃）

特性類別	參數	符號	規格範圍	典型值	單位
靜態特性	柵極閾值電（diàn）壓	VGS(th)	2~4	3	V
靜態特性	漏（lòu）極截止電流（25℃）	IDSS	-~1	3	μA
動態特性	輸（shū）入電容	Ciss	-~1170	1170	pF
動（dòng）態特性	開通延遲（chí）時間	td(on)	-~24	24	ns
動態特性	關斷延遲時（shí）間	td(off)	-~30	30	ns
柵極電荷特性	總柵極（jí）電荷	Qg	-~24	24	nC
二極管（guǎn）特性	正向電壓	VSD	-~1.2	-	V
二極管特（tè）性	反向恢複時間	trr	-~298	298	ns

四、封裝與包裝信息

（1）封裝類型及對應型號

型號	封裝類型	包裝方式	標記
WML27N65XJ	TO-220F	Tube	WML27N65XJ
WMK27N65XJ	TO-220	Tube	WMK27N65XJ
WMN27N65XJ	TO-262	Tube	WMN27N65XJ
WMM27N65XJ	TO-263	Tape and Reel	WMM27N65XJ
WMO27N65XJ	TO-252	Tape and Reel	WMO27N65XJ
WMJ27N65XJ	TO-247	Tube	WMJ27N65XJ

（2）典型封裝尺寸（TO-252 示例）

符號	最小尺寸（MM）	最大尺寸（MM）
A	6.40	6.80
B	5.13	5.50
C	0.88	1.28
D	5.90	6.22
E	0.68	1.10

五、應（yīng）用場景

照明類：LED Lighting
電（diàn）源類（lèi）：Charger（充電器）、Adapter（適配器（qì））
消（xiāo）費（fèi）電子 / 服務器：PC、LCD TV、Server

六、其他說（shuō）明

文檔版本：Rev.2.0（2025 年）
免責聲明：產品不設計用於航空、核能、醫（yī）療等可能導致人身傷害的高危場景，參數可能變更，不保證第三方知識產權無侵權

4. 關鍵問題及答（dá）案

問題 1：WMO27N65XJ 係列 MOSFET 的核心競爭優勢（shì）的是什麽？適用於（yú）哪些高要求場（chǎng）景？

答案：核心競爭優（yōu）勢包括三點：① 性能優勢：采用電（diàn）荷平衡技術，實現低導通（tōng）電阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）和（hé）高耐壓（VDS=650V），兼顧低損耗與高功率密度；② 可靠性優（yōu）勢：100% UIS 測試，工作溫度範圍寬（kuān）（-55℃~+150℃），適應嚴苛環境；③ 合規優勢（shì）：無鉛無鹵素，符（fú）合 RoHS 標準，滿足環保要求。適用於對效率、功率（lǜ）密度和可（kě）靠性均有高要求的場（chǎng）景，如 LED 照明驅動、高性能充電器 / 適配器、PC 電源、LCD TV 電源（yuán）及服務（wù）器（qì）電（diàn）源等。

問題 2：該係列（liè）產（chǎn）品的（de）關鍵電氣參數中，柵（shān）極閾值電（diàn）壓、最大連續（xù）漏電流及結到殼熱阻的（de）規格範圍分別是（shì）多少？不（bú）同子型號的差異主要（yào）體現在（zài）哪裏？

答案：關（guān）鍵參（cān）數規格：① 柵極（jí）閾值電壓（VGS (th)）：2~4V（Typ.3V）；② 最大連續漏電流（ID）：21A（Tc=25℃）、12A（Tc=100℃）；③ 結（jié）到殼熱阻（RθJC）：0.9℃/W（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）、4℃/W（WML）。不同子型號（hào）的核心差異在於封裝類型（對應不（bú）同的熱阻、功率損耗及包裝方式），電氣性能核心參數（如 VDS、ID、RDS (on) 典型值）基本一（yī）致，僅（jǐn）部分熱特性和功率損（sǔn）耗參數（shù）因封裝不同有所（suǒ）區別。

問題 3：WMO27N65XJ 型號對應的封裝類型、包（bāo）裝方式是什（shí）麽？其典型應用場景下，核心性能如（rú）何支撐應用需求？

答案：WMO27N65XJ 對應的封裝類型為TO-252，包裝方式為Tape and Reel（卷（juàn）帶包（bāo）裝（zhuāng）），適（shì）合自動化貼裝生產。核心性能對應用場景的支撐：① 低導通電阻（0.135Ω Typ.）降低導通損耗，提升充電器、適配器的（de）轉換效（xiào）率；② 高耐壓（yā）（650V）確保在 AC-DC 轉（zhuǎn）換等高壓場景下（xià）的穩定性；③ TO-252 封裝的緊湊尺寸的適合空間受（shòu）限（xiàn）的電子設備（如小型充電器、LED 驅動模塊），同時（shí）卷帶包裝適配批量生產，滿足消費電子的規模化需求。